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SUM70N03-09CP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 _ C UNLESS NOTED)
100
Transconductance
0.05
On-Resistance vs. Drain Current
80
60
T C = ? 55 _ C
25 _ C
125 _ C
0.04
0.03
40
20
0
0.02
0.01
0.00
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
I D ? Drain Current (A)
I D ? Drain Current (A)
3000
2500
Capacitance
C iss
10
8
V DS = 15 V
I D = 30 A
Gate Charge
2000
6
1500
4
1000
500
0
C rss
C oss
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
6
12
18
24
30
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
Q g ? Total Gate Charge (nC)
2.0
1.6
1.2
On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
T J = 150 _ C
T J = 25 _ C
10
0.8
0.4
0.0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J ? Junction Temperature ( _ C)
Document Number: 71943
S-32523—Rev. D, 08-Dec-03
V SD ? Source-to-Drain Voltage (V)
www.vishay.com
3
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